Рабочее напряжение высоковольтных MOSFET компании Central достигло 800 В

Central Semiconductor приступила к выпуску новейших энергоэффективных высоковольтных MOSFET семейства UltraMOS, разработанных для минимизации общих потерь проводимости и увеличения плотности мощности. Транзистор CDM22012-800LRFP в корпусе TO-220FP (Full Pack) рассчитан на ток до 12 А и напряжение до 800 В. Ключевыми характеристиками этого UltraMOS прибора, определяющими его энергетическую эффективность, по уровню которой он превосходит аналогичные стандартные MOSFET, являются низкое сопротивление открытого канала, составляющее всего 0.37 Ом, и общий заряд затвора – 7.6 нКл.

800-вольтовые MOSFET семейства UltraMOS идеально подходят для источников питания и инверторов и прекрасно сочетаются с выпрямителями HyperFast компании Central, обеспечивая превосходное быстродействие, необходимое для компенсации сдвига фазы в корректорах коэффициента мощности. Устройства UltraMOS доступны как в стандартных, так и в заказных корпусах.

Транзисторы CDM22012-800LRFP продаются упакованными в пеналах или россыпью, и в партиях из 1000 приборов стоят $1.90 за штуку. Помимо 800-вольтовых транзисторов, Central выпускает устройства UltraMOS на напряжения 600 В и 700 В. В текущем году также планируется выпуск устройств с рабочим током 6 А и допустимым напряжением 800 В.