Toshiba анонсирует следующее поколение мощных MOSFET с суперпереходом

Компания Toshiba Electronics Europe сообщила о завершении разработки новой серии 650-вольтовых MOSFET следующего поколения, предназначенных для использования в источниках питания серверов центров обработки данных, стабилизаторах солнечных электростанций, бесперебойных источниках питания и других промышленных приложениях.

Первое устройство серии, изготовленное по технологии DTMOS VI и получившее обозначение TK040N65Z, представляет собой 650-вольтовый транзистор с максимально допустимым постоянным током стока 57 А и импульсным током до 228 А. Новый прибор отличается ультранизким сопротивлением открытого канала 0.04 Ом (типовое значение 0.033 Ом), уменьшающим потери мощности в энергетических приложениях. Благодаря сниженной емкости, устройство, работающее в режиме обогащения, идеально подходит для использования в современных высокочастотных источниках питания.

Новые транзисторы повысят КПД источников питания за счет снижения важнейшего показателя качества MOSFET – произведения сопротивления открытого канала на емкость затвора. TK040N65Z демонстрирует 40-процентное снижение этого параметра по сравнению с предыдущими устройствами DTMOS IV-H, что, как показали измерения в 2.5-киловаттном корректоре коэффициента мощности, дает значительный прирост КПД источника питания, достигающий 0.36%.

Транзистор выпускается в стандартном для отрасли корпусе TO-247, обеспечивающем как совместимость со старыми проектами, так и пригодность для новых разработок.