Littelfuse вливается в ряды поставщиков карбид-кремниевых MOSFET

Расширяя линейку полупроводниковых продуктов, компания Littelfuse представила свою первую серию карбид-кремниевых (SiC) MOSFET. В марте 2017 года Littelfuse сделала еще один шаг на пути к завоеванию лидерства в отрасли силовой полупроводниковой промышленности, став основным инвестором авторитетного разработчика технологии SiC, компании Monolith Semiconductor. Приборы серии LSIC1MO120E0080 с максимальным допустимым напряжением 1200 В и ультранизким сопротивлением открытого канала 80 мОм стали первыми SiC MOSFET, спроектированными и изготовленными в рамках этого партнерства. Устройство, оптимизированное для высокочастотных силовых приложений, обеспечивает комбинацию ультранизких коммутационных потерь и сверхвысоких скоростей переключения, недостижимую в решениях с обычными мощными транзисторами.

По сравнению с кремниевыми устройствами с такими же рабочими напряжениями, SiC MOSFET позволяют значительно повысить энергоэффективность, уменьшить размеры и вес и увеличить плотность мощности в силовых электронных системах. Кроме того, приборы отличаются исключительной надежностью, даже при эксплуатации в условиях высоких рабочих температур, достигающих 150 °C.

Типовыми приложениями для этих новых SiC MOSFET будут системы преобразования энергии, такие, как инверторы солнечных электростанций, импульсные источники питания, системы бесперебойного питания, драйверы двигателей, высоковольтные DC/DC преобразователи, зарядные устройства аккумуляторов и индукционные печи.

«Наша новая серия SiC MOSFET является важной вехой на пути, по которому мы войдем в ряды ведущих поставщиков силовых полупроводниковых компонентов, – сказал Майкл Кеттер (Michael Ketterer), менеджер по маркетингу продуктов подразделения силовых полупроводников Littelfuse. – Наша сеть поддержки приложений SiC MOSFET готова помочь заказчикам повысить эффективность существующих проектов, а также помочь тем, кто разрабатывает новые преобразователи энергии».

Ключевыми преимуществами SiC MOSFET семейства LSIC1MO120E0080 являются:

• Сверхвысокая скорость переключения, повышающая КПД и увеличивающая плотность мощности;
• Меньшие потери переключения, позволяющие увеличивать рабочие частоты;
• Более высокие рабочие температуры, обеспечивающие бóльшую надежность и расширяющие диапазон высокотемпературных приложений.

SiC MOSFET серии LSIC1MO120E0080 выпускаются в корпусах TO-247-3L.