Infineon выпускает драйверы затворов с самым низким в отрасли потреблением мощности
Infineon Technologies представила семейство одноканальных драйверов затворов нижнего плеча 1EDN EiceDRIVER. Микросхемы будут идеальным решением для управления MOSFETs, IGBT, а также GaN приборами. Расположение выводов и типы корпусов новых драйверов полностью совместимы с отраслевыми стандартами, что упрощает прямую замену в существующих конструкциях. Приложения, в которых будут востребованы уникальные характеристики микросхем драйверов, включают импульсные источники питания для телекоммуникационного и промышленного оборудования, DC/DC преобразователи, корректоры коэффициента мощности в зарядных станциях электромобилей, а также такие промышленные устройства, как сетевой электроинструмент, источники бесперебойного питания, кондиционеры и вентиляторы. Кроме того, новое семейство поддерживает приложения беспроводной зарядки.
По сравнению с другими одноканальными драйверами затворов нижнего плеча, выпущенное Infineon семейство 1EDN EiceDRIVER характеризуется самым низким в отрасли уровнем внутренней потребляемой мощности. Низкоомные выходные каскады увеличивают КПД более чем на 30%. Это повышает гибкость проектных решений и позволяет управлять бóльшим количеством силовых устройств, оставаясь в рамках заданных температурных ограничений.
Выходы микросхем семейства 1EDN выдерживают самый большие в отрасли обратные токи – 5 А. Благодаря этому схеме не требуются защитные диоды при управлении MOSFET с большими паразитными индуктивностями цепи стока, типичными для корпусов TO-220 или TO-247. Используя новые микросхемы драйверов, пользователи смогут снизить стоимость компонентов и сократить площадь печатной платы.
Входы 1EDN выдерживают отрицательные напряжения до –10 В, обеспечивая запас прочности против смещения уровней земли при работе на трансформаторы управления затворами. Этот дополнительный запас помехоустойчивости защищает входы драйверов от перегрузки или защелкивания. Дополнительно в семейство 1EDN включены версии с раздельными выводами для вытекающего и втекающего токов. Это упрощает оптимизацию скорости включения и выключения и одновременно позволяет сэкономить один внешний диод.