Texas Instruments анонсировала сверхминиатюрный 60-вольтовый MOSFET с самым низким в отрасли сопротивлением канала

Texas Instruments анонсировала изготовленный по технологии FemtoFET мощный 60-вольтовый N-канальный транзистор, способный существенно снизить потребление мощности в конечных системах за счет рекордного для отрасли сопротивления открытого канала, на порядок более низкого, чем у традиционных 60-вольтовых коммутаторов нагрузки. Новый MOSFET CSD18541F5 в крошечном корпусе с размерами 1.53×0.77 мм, основу которого образует сам кристалл, занимает площадь на 80% меньше, чем общепринятые для переключателей нагрузки корпуса SOT-23.

Транзистор CSD18541F5, типовое значение сопротивления открытого канала которого составляет 54 мОм, разработан и оптимизирован для замены стандартных малосигнальных MOSFET в промышленных коммутаторах нагрузки с жесткими требованиями к объему оборудования. Корпус LGA, несмотря на миниатюрные размеры, удобен для монтажа благодаря шагу выводов 0.5 мм.

CSD18541F5 расширяют семейство MOSFET компании TI на технологической платформе FemtoFET, добавляя в него приборы с более высоким рабочим напряжением при меньших размерах корпуса.

Основные особенности и преимущества CSD18541F5

• Сверхнизкое сопротивление открытого канала, равное 54 мОм при напряжении затвор-исток 10 В, на 90% меньше чем у обычных 60-вольтовых коммутаторов нагрузки;
   
• Габариты 1.53 × 0.77 × 0.35 мм ультра-миниатюрного корпуса LGA на 80% меньше, чем у традиционных переключателей нагрузки в корпусах SOT-23, что позволяет сократить площадь, занимаемую прибором на печатной плате;
   
• Удобный для монтажа корпус с шагом вводом 0.5 мм;
   
• Интегрированные диоды защиты от электростатических разрядов предохраняют затвор MOSFET от повышенных напряжений.